首页 > 商品目录 > > > > PSMN3R8-100BS,118代替型号比较

PSMN3R8-100BS,118  与  IPB042N10N3 G  区别

型号 PSMN3R8-100BS,118 IPB042N10N3 G
唯样编号 A-PSMN3R8-100BS,118 A3-IPB042N10N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 306W 214W(Tc)
输出电容 660pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 PG-TO263-3
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 100A(Tc)
系列 - OptiMOS™
输入电容 9900pF -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 8410pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 117nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥20.0457
400+ :  ¥16.9879
800+ :  ¥15.5852
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R8-100BS_SOT404

¥20.0457 

阶梯数 价格
210: ¥20.0457
400: ¥16.9879
800: ¥15.5852
0 当前型号
IPB042N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3GATMA1_PG-TO263-3

暂无价格 2,000 对比
IRF100S201 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 10 对比
AOB290L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
IPB049N08N5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB049N08N5_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
AUIRLS4030-7P Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK(7-Lead)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售